加在控制極G上的觸發(fā)脈沖的大小或時間改變時，就能改變其導通電流的大小。與單向可控硅的區(qū)別是，雙向可控硅G極上觸發(fā)脈沖的極性改變時，其導通方向就隨著極性的變化而改變，從而能夠控制交流電負載。而單向可控硅經觸發(fā)后只能從陽極向陰極單方向導通，所以可控硅有單雙向之分。 電子制作中常用可控硅，單向的有MCR－100等，雙向的有TLC336等。
ABB可控硅晶閘管，ABB晶閘管模塊5SDF10H4503
可控硅的主要參數(shù): 1 額定通態(tài)電流（IT)即zui大穩(wěn)定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。 2 反向重復峰值電壓（VRRM)或斷態(tài)重復峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM*VDRM一般為幾百伏到一千伏。 3 控制極觸發(fā)電流（IGT)，俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。
