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產(chǎn)品簡介
IGBTABB模塊FS450R17KE3/AGDR-82CS
IGBTABB模塊FS450R17KE3/AGDR-82CS
產(chǎn)品價格:¥1888
上架日期:2021-03-30 16:51:05
產(chǎn)地:上海嘉定區(qū)
發(fā)貨地:上海
供應(yīng)數(shù)量:不限
最少起訂:1件
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詳細(xì)說明


    IGBT模塊和普通IGBT的區(qū)別
    一樣型號 IGBT模塊和普通IGBT的區(qū)別,主要不同在哪里,里面的芯片大小一樣嗎,模塊的發(fā)果上面標(biāo)150A能達(dá)到150A嗎?
    IGBT模塊是幾個單元的IGBT綜合在一起,比如3單元的,就等于三個單管IGBT,這樣的好處可以節(jié)約空間。一般在10KW以上的設(shè)備基本都是用模塊才可以,而低功率的用單管IGBT,成本低很多。

    IGBTABB模塊FS450R17KE3/AGDR-82CS

    IGBTABB模塊FS450R17KE3/AGDR-82CS

    IGBTABB模塊FS450R17KE3/AGDR-82CS


    在應(yīng)用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極zui大額定電壓,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號,以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以振蕩電壓。
    此外,在柵極—發(fā)射極間開路時,若在集電極與發(fā)射極間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,由于集電極有漏電流流過,柵極電位升高,集電極則有電流流過。這時,如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。

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