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ENR-TBP-0.5 過電壓保護器 07-12提供報價
SiC FET是SiC JFET和Si-MOSFET的共源共柵結構　另一個重要參數(shù)是在開關中任何體二極管效應的反向恢復能量，它在硬開關條件下會造成顯著耗損　SiC MOSFET的一些值很低，但是增益會被抵消，因為二極管前向壓降高，如果因“換向”而在開關“死區(qū)”時間內(nèi)導電，這會造成耗損增加　


　 　 PCBA模塊一覽，白線畫出了內(nèi)部無線充電線圈位置，為WPC-A13線圈排列　線圈外圍PCB走線為電容傳感器，用于檢測手機是否放入，自動開啟無線充電　 　 　 PCBA模塊背面為鋁合金外殼，用于散熱　

　 　 撬開卡扣固定的側面蓋板，即可輕松的拆開外殼，取出內(nèi)部的PCBA模塊　 　 　 內(nèi)部PCBA模塊一覽，長條形契合外殼設計　 　 　 USB-C線纜為排線設計，更加纖薄，便于使用　


但是在網(wǎng)關 LNS 中還是 OTAA 入網(wǎng)時的 FCnt （舊值），兩邊的 FCnt 對不上，接著數(shù)據(jù)就會被丟棄，就會導致節(jié)點的上行數(shù)據(jù)發(fā)送失敗，需要一直得等到 FCnt 遞增超過之前的大小