NTS-213 單相電壓電流表 07-11提供報價
通過配置procsyskernelcore_pattern可以設置格式化的core文件保存位置或文件名 比如： 設置core文件的文件名中是否添加pid作為擴展 echo
#8226 根據IEC 62053-21的三相無功功率測量精度等級1 #8226 6通道電壓和電流抽取樣本可用@200us #8226 2.5kHz測量帶寬 #8226 每個電壓和電流信號的RMS和THD（可選）計算 #8226
GaN+SiC 雙引擎，為大功率系統(tǒng)提供高性能混合設計，為消費電子、電動汽車、太陽能、儲能等領域提供全系列GaN、SiC、數字隔離器產品，在第三代半導體領域全面開花結果 Q2營收同增58%，并購GeneSiC將迅速提振盈利
1995年，IBM的一個團隊采用了一種方法，該方法不是在晶圓本身的表面制造晶體管，而是在絕緣氧化物層上的一層薄薄的硅片上制造晶體管，因此幾乎完全將晶體管與基底絕緣，稱之為SOI（silicon-on-insulator）
以ROHM#組件研發(fā)技術，在業(yè)界同等級的輸出功率激光二極管中，達到了225μm的超窄發(fā)光幅度，與290μm的市場競品相比，發(fā)光幅度縮減了22%，因此具有高光束性能，窄發(fā)射區(qū)域和高光密度，可實現更高的分辨率和更遠的范圍
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