| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 其他 | 型號(hào) | FIB,TEM,SEM |
| 類(lèi)型 | 元素半導(dǎo)體材料 | 材質(zhì) | 硅 |
| 產(chǎn)品名稱(chēng) | 晶圓制造工藝分析,晶圓材料分析 | 顏色 | 其他 |
晶圓制造工藝分析、晶圓材料分析
廣電計(jì)量的資質(zhì)能力處于行業(yè)領(lǐng)先水平，截止至2021年12月31日，CNAS認(rèn)可7166項(xiàng)，CMA認(rèn)可59345個(gè)參數(shù)，CATL認(rèn)可覆蓋 58個(gè)類(lèi)別；在支撐各區(qū)域產(chǎn)業(yè)?質(zhì)量發(fā)展過(guò)程中，廣電計(jì)量還獲得政府、行業(yè)及社會(huì)組織頒發(fā)的資質(zhì)榮譽(yù)100余項(xiàng)。
我司集成電路檢測(cè)試驗(yàn)可對(duì)包括晶圓、半導(dǎo)體器件提供微觀(guān)結(jié)構(gòu)分析、材料形貌分析、膜層分析、成分分析等檢測(cè)分析服務(wù)。
晶圓制造工藝分析：
1、14nm及以上制程芯片晶圓制造工藝分析
2、MOSFET制造工藝分析
3、存儲(chǔ)芯片制造工藝分析
半導(dǎo)體材料分析：
材料成分分析、晶型分析、晶格缺陷分析、原子級(jí)高分辨分析等。
芯片及半導(dǎo)體器件封裝工藝分析：
封裝工藝異常分析，如TSV孔、Via孔、RDL布線(xiàn)層異常分析。
半導(dǎo)體工藝分析：
刻蝕工藝、鍍膜工藝等半導(dǎo)體工藝分析
廣州廣電計(jì)量檢測(cè)股份有限公司始建于1964年，是 原信息產(chǎn)業(yè)部電子602計(jì)量站，經(jīng)過(guò)50余年的發(fā)展，現(xiàn)已成為一家全國(guó)化、綜合性的國(guó)有第三方計(jì)量檢測(cè)機(jī)構(gòu)，專(zhuān)注于為客戶(hù)提供計(jì)量、檢測(cè)、認(rèn)證以及技術(shù)咨詢(xún)與培訓(xùn)等專(zhuān)業(yè)技術(shù)服務(wù)，在計(jì)量校準(zhǔn)、可靠性與環(huán)境試驗(yàn)、電磁兼容檢測(cè)、元器件篩選與失效分析等多個(gè)領(lǐng)域的技術(shù)能力及業(yè)務(wù)規(guī)模處于國(guó)內(nèi)*水平。
廣電計(jì)量在全國(guó)建有23個(gè)綜合性檢測(cè)基地，54個(gè)分子公司，形成了覆蓋全國(guó)的技術(shù)服務(wù)保障能力，為各行業(yè)和各領(lǐng)域客戶(hù)提供便捷計(jì)量檢測(cè)技術(shù)服務(wù)。
試驗(yàn)室地點(diǎn)：廣電計(jì)量檢測(cè)-浦東試驗(yàn)室（康橋東路958號(hào)）
