聯(lián)系信息:李經(jīng)理
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失效分析是對已失效器件的事后檢查，使用電學測試以及先進的物理、化學和金相分析技術(shù)驗證失效現(xiàn)象，確定失效模式，找出失效機理。全面系統(tǒng)的失效分析可以確定失效的原因，對于器件設(shè)計、制造工藝、試驗或應(yīng)用的改進具有指導作用，采取相應(yīng)的糾正措施消除失效模式或機理產(chǎn)生的原因，從而實現(xiàn)器件以及裝備整體可靠性的提高。
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汽車電子元器件失效分析項目：
① 形貌分析技術(shù)：體視顯微鏡、金相顯微鏡、X射線透視、聲學掃描顯微鏡、掃描電鏡、透射電鏡、聚焦離子束。
② 成分檢測技術(shù)：X射線能譜EDX、俄歇能譜AES、二次離子質(zhì)譜SIMS、光譜、色譜、質(zhì)譜。
③ 電分析技術(shù)：I-V曲線、半導體參數(shù)、LCR參數(shù)、集成電路參數(shù)、頻譜分析、ESD參數(shù)、電子探針、機械探針、絕緣耐壓、繼電器特性。
④ 開封制樣技術(shù)：化學開封、機械開封、等離子刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕、化學腐蝕、切片。
⑤ 缺陷定位技術(shù)：液晶熱點、紅外熱像、電壓襯度、光發(fā)射顯微像、OBIRCH。
失效分析試驗標準：
GJB548B-2005 微電子器件試驗方法和程序；
GJB450A 裝備可靠性工作通用要求；
GJB841 故障報告、分析和糾正系統(tǒng)；
GJB536B-2011 電子元器件質(zhì)量保證大綱；
QJ3065.5-98 元器件失效分析管理要求；
GJB 33A-1997 半導體分立器件總規(guī)范；
GJB 65B-1999 有可靠性指標的電磁繼電器總規(guī)范。
汽車電子元器件失效分析的對象：
l 汽車各種材料和零件（金屬、塑料、陶瓷、玻璃等）；
l 汽車電器電子元件（電阻、電容、電阻網(wǎng)絡(luò)、電感、繼電器、電連接器、接觸器等）；
l 半導體分立器件（二極管、三極管、場效應(yīng)管、可控硅、晶體振蕩器、光電耦合器、二極管堆、IGBT等）；
l 機電類器件（繼電器，機械開關(guān)、MEMS）；
l 汽車線纜及接插件（連接器，各類型線纜）；
l 微處理器（51系列單片機，DSP，SOC等）；
l 可編程邏輯器件(GAL、PAL、 ECL 、FPGA、、CPLD、EPLD等)；
l 存儲器(EPROM、SRAM、DRAM、MRAM、DDR、FLASH、NOR FLASH、NAND FLASH、FIFO等)；
l AD/DA（DAC7611、MAX525、ADC0832、AD9750等）；
l 通用數(shù)字電路（CMOS 4000系列、54系列、80系列）；
l 模擬器件（運算放大器、電壓比較器、跟隨器系列、壓控振蕩器、采樣保持器等）；
l 微波器件（倍頻器、混頻器、接收器、收發(fā)器、上變頻器、壓控振蕩器、放大器、功分器、耦合器等）；
l 電源類（線性穩(wěn)壓器、開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器、電源監(jiān)控器、電源管理、LED、PWM控制器、DC/DC等）。
汽車電子元器件失效分析設(shè)備能力：
電性測試：LCR阻抗分析儀、高阻計、耐壓測試儀、ESD測試儀、探針臺、半導體參數(shù)分析儀、高精度圖示儀、可編程電源、電子負載、示波器、頻譜分析儀、數(shù)字/模擬集成電路測試機臺、電磁繼電器測試系統(tǒng)。
形貌觀察：體視顯微鏡、金相顯微鏡、X-RAY透射系統(tǒng)、聲學掃描顯微鏡、掃描電鏡、透射電鏡、聚焦離子束。
制樣設(shè)備：機械開封機、化學開封機、反應(yīng)離子刻蝕機、研磨拋光機。
應(yīng)力試驗設(shè)備：
高低溫試驗箱-熱循環(huán)試驗、熱沖擊試驗箱-熱沖擊試驗、振動臺-機械振動試驗、恒定加速度試驗臺-恒定加速度試驗、可編程電源-電壓、功率老煉試驗、電子負載-電流、功率老煉、頻率發(fā)生器-老煉試驗、浪涌發(fā)生器-浪涌試驗、高溫真空箱。
